IGBT兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)，驅動(dòng)功率小而飽和壓降低，非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
意發(fā)在自主研發(fā)的600V/1200V溝槽和平面IGBT 技術(shù)平臺上,開(kāi)發(fā)出多款I(lǐng)GBT 及配套的FRD產(chǎn)品，具有飽和壓降低，開(kāi)關(guān)損耗小，抗短路能力強，正溫度系數，易于并聯(lián)等特點(diǎn)，主要應用于電磁爐、變頻器、電焊機和充電樁等領(lǐng)域，替代海外進(jìn)口產(chǎn)品, 主要規格有 15A/20A/ 30A/40A/75A等。
